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半導(dǎo)體材料裝備單片式硅外延生長(zhǎng)爐模型

發(fā)布時(shí)間:2022-11-18 點(diǎn)擊數(shù):1607

半導(dǎo)體材料裝備單片式硅外延生長(zhǎng)爐模型

半導(dǎo)體材料裝備單片式硅外延生長(zhǎng)爐模型

半導(dǎo)體材料裝備單片式硅外延生長(zhǎng)爐模型

單片式硅外延生長(zhǎng)爐是一種輻射加熱式的、氣體注射式的單晶片處理系統(tǒng),系統(tǒng)利用化學(xué)氣相沉積(CVD)的原理在硅晶片表面生長(zhǎng)一層厚度均勻的不摻雜型或摻雜型外延層,適用于直徑分別為6英寸和8英寸的硅晶片。系統(tǒng)生長(zhǎng)的外延層厚度可控,其晶體結(jié)構(gòu)與襯底硅晶片相同,屬于同質(zhì)外延。

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